有机无机杂化材料的制备及介电性能
大规模集成电路的发展，集成度不断提高、器件特征尺寸逐渐减小，多层布线和逻辑互联层数增加，导致线间和层间电容增大，信号传输延迟和串扰增大，探索新型低介电材料，替代现有SiO2 (k≈4.2)介质，是降低互连延迟、串扰和能耗的有效方法。本文采用一步自由基聚合的方法，通过改变反应物的结构，合成一系列多面体低聚倍半硅氧烷基（POSS）杂化聚合物材料。利用FT-IR、1H NMR、29Si NMR、XRD、 OM 、AFM、椭偏仪和电容测试等方法对材料的结构和性能进行了表征，讨论了其结构与介电性能之间的关系。
低介电材料 多面体低聚倍半硅氧烷基 杂化聚合物材料 介电常数
张超 光善仪 徐洪耀
东华大学纤维和材料改性国家重点实验室和材料科学与工程学院，上海 201620
国内会议
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2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）