Li3N-Mn复合助熔剂生长GaN单晶体

摘要：

　　文章利用Li3N-Mn复合助熔剂生长GaN单晶体，并对得到的GaN单晶体进行了表征，对表征的结果进行了讨论。研究结果表明：与Li3N助熔剂相比，Li3N-Mn复合助熔剂有利于GaN单晶体生长，在一定程度上抑制了GaN均匀形核的现象，有利于得到尺寸更均匀分布得GaN单晶体，得到GaN单晶体质量有所提高，而且GaN单晶体生长机制得到了加强。

关键词： 氮化镓 单晶体 复合助熔剂 晶体生长

作者: 李辉 鲍慧强 王刚 宋波 王文军 陈小龙

作者单位: 北京凝聚态物理国家实验室，中国科学院物理研究所 北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 华北地区硅酸盐学会第九届学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2008-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）