He和H离子联合注入单晶Si引起的表面剥落现象研究

摘要：

　　室温下使用160 keV，5×1016cm-2 He离子和110 keV，1×1016cm-2 H离子对单晶Si样品进行单离子和双离子注入。采用多种观测技术研究了注入引起的Si表面损伤效应和微观缺陷的演变。扫描电子显微镜观测结果表明，附加H离子注入有助于He预注入的Si样品发生表面剥落现象，剥落程度强烈地依赖于退火温度。在800℃退火温度下，He和H离子联合注入导致了Si表面大面积的剥落。原子力显微镜显示剥落发生在离子的平均射程附近。通过使用XTEM对微观缺陷进行分析，表明表面剥落主要来源于附加H离子注入对He气泡热生长的影响。

关键词： 单晶硅 集成电路 离子注入技术 表面剥落 气泡热生长

作者: 王卓 刘昌龙 李梦凯 柳天宇 吴培 廖俊淇 张晓东 袁兵 李文润

作者单位: 天津大学理学院物理系 天津 300072 天津大学理学院物理系 天津 300072 天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室 天津 300072

会议类型: 国内会议

会议名称: 华北地区硅酸盐学会第九届学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-7

在线出版日期: 2008-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）