MgO和Sb2O3掺杂对BaSrTiO3陶瓷介电性能的影响
制备了含有Mg元素的Ba0.65-xSr0.35MgxTiO3陶瓷圆片试样，对试样进行了介电性能研究，结果表明：掺杂Mg的Ba0.65-xSr0.35MgxTiO3陶瓷试样与未掺杂Mg的Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷试样相比，相对介电常数减小，介电损耗降低。介电温谱显示，随着Mg掺杂量的增加居里峰表现出微弱的展宽效应，且居里温度向低温方向移动。对Mg掺杂量为1.0mol％的体系进行了掺杂Sb2O3研究，介电性能测试表明：掺杂Sb2O3的Ba0.64Sr0.35Mg0.01TiO3体系的居里峰增大，居里温度向低温方向移动，室温介电损耗很大。
钛酸锶钡 陶瓷材料 镁元素 三氧化二锑 掺杂改性 介电性能
徐世国 曲远方 张晨
天津大学材料科学与工程学院，天津 300072
国内会议
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2008-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）