脉冲直流反应磁控溅射制备氧化铌薄膜的性质

摘要：

　　使用脉冲直流反应磁控溅射在不同基底偏压的条件下制备Nb2O5薄膜。制备过程为金属Nb靶在纯氧环境中反应完成。使用光谱仪，原子力显微镜，场发射扫描电镜研究了Nb2O5薄膜的性质。对Nb2O5单层膜进行了激光损伤测试。测试激光脉冲为12ns，波长为1064nm。结果表明，相对阴极电压而言，基底偏压对薄膜损伤阈值具有很大的影响，基底偏压为-60V制备的Nb2O5薄膜损伤阈值最高，达到28.8J/cm2。

关键词： 氧化铌薄膜 光学性能 激光损伤 磁控溅射技术 基底偏压

作者: 邵宇川 易葵 方明 张俊超

作者单位: 中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室,上海市嘉定区清河路390号，上海 201800 中国科学院研究生院,北京 100049 中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室,上海市嘉定区清河路390号，上海 201800

会议类型: 国内会议

会议名称: 长三角地区科技论坛激光分论坛暨上海市激光学会2011年学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 187-189

在线出版日期: 2011-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）