CuInSe2半导体纳米晶的合成及其性质研究

摘要：

　　CuInSe2半导体材料的禁带宽度为1.04 eV，可以通过Ga掺杂代替In形成CuIn1-xGaxSe2材料调节其禁带宽度达到或接近理想太阳电池材料的禁带宽度值，且此材料具有较高的光吸收系数，已经广泛应用于光伏领域。本文用简单的溶液化学方法合成了CuInSe2纳米晶，并对其性质进行了研究。

关键词： 半导体材料 合成工艺 光学性能 禁带宽度 太阳电池材料

作者: 刘玉峰 葛美英 乐阳 孙艳

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 长三角地区科技论坛激光分论坛暨上海市激光学会2011年学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 247-250

在线出版日期: 2011-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）