超薄SiO2的软击穿到硬击穿的电流突发性转变

摘要：

　　采用SiO2的缺陷带模型解释电应力击穿SiO2薄膜由软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的电流突变。结果表明，当击穿通道上的缺陷原子的距离达到临界距离时，SiO2由具有低势垒的绝缘体，转变成Mott-Like缺陷导体，由此形成了软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的I-V特性的突变。

关键词： 二氧化硅薄膜 电学性能 击穿效应 模拟分析

作者: 谭长华 许铭真

作者单位: 北京大学 微电子研究院,北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 411-412

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）