一种评估ESD防护器件性能的TCAD方法论

摘要：

　　ESD(静电放电)防护器件不仅需要有丰富的设计经验，还需要有科学的TCAD(工艺计算机辅助设计)评估方法论。以对CDM(器件充电模式)下SCR(可控硅)防护器件防护性能评估为例，提出了一种旨在客观评估ESD防护器件性能的新颖的TCAD评估方法论。这种TCAD仿真方法论侧重对ESD防护器件中更有价值的瞬态行为进行评估。结果表明，该TCAD方法论收敛性良好，能够对ESD防护器件的性能进行科学评估，对ESD防护器件的设计具有很强的指导作用。

关键词： 集成电路 静电放电防护器件 性能评估 计算机仿真

作者: 崔强 韩雁 刘俊杰 董树荣

作者单位: 浙江大学 微电子与光电子研究所,杭州,310027 浙江大学 微电子与光电子研究所,杭州,310027 College of Engineering and Computer Science, University of Central Florida

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 413-417

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）