HCl腐蚀抛光技术研究

摘要：

　　分析了HCl的腐蚀抛光原理以及HCI在外延片制作过程中的作用。从HCl的浓度、腐蚀温度、反应室压力以及衬底条件，对HCI的腐蚀特性进行了重点研究；并采用不同的工艺条件，对HCl的腐蚀抛光速率进行了对比实验。还对HCl的BC技术进行了探索，分析了BC技术的原理以及作用，为高精度外延片的制作提供了一种有效的方法。

关键词： 电子元件 制造工艺 HCl腐蚀抛光技术 产品质量

作者: 李智囊 唐驰

作者单位: 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 464-467

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）