一种高压大功率微波PIN器件用硅外延片

摘要：

　　介绍了一种高压大功率微波PIN管用N型硅外延材料的制作工艺，即在常压外延设备上，采取特殊的工艺控制，在电阻率<0.002Ω·cm的N型衬底上实现了200um厚层超高阻外延生长。

关键词： PIN二极管 硅外延片 制造工艺 材料性能

作者: 谭卫东 骆红 唐有青 张文清 顾晓春

作者单位: 南京国盛电子有限公司,南京 210038 中国电子科技集团公司 第55研究所,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 495-497

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）