IGBT硅外延材料工艺研究

摘要：

　　介绍了一种使用中频加温外延设备制作IGBT外延材料的工艺，并对这种厚层、异质外延工艺中出现的一系列问题进行了讨论，提出了改善这种外延材料质量的方法。

关键词： 绝缘栅双极型晶体管 半导体材料 制造工艺 外延生长

作者: 徐非 骆红 谭卫东 张文清

作者单位: 东南大学 电子科学与工程学院 南京国盛电子有限公司,南京 210038

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 498-500

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）