同质外延生长SiC外延层及表面形貌分析

摘要：

　　在硅面(0001)方向偏8°4H-SiC衬底上生长外延层，生长温度为1580℃，压力为100mbar，采用气垫旋转技术的低压水平热壁反应系统(LP-HW-CVD)，得到了高质量的外延层。外延层表面形貌用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测量。测量表明，生长的4H-SiC外延层有很好的晶体结构和光滑的晶面，外延层表面无微管缺陷。生长速率为5μm/h，厚度均匀性为1％，无意掺杂浓度为n型1x1015cm-3。

关键词： 碳化硅 晶体生长技术 同质外延 结构表征

作者: 王悦湖 张书霞 张义门 张玉明

作者单位: 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071 西安武警工程学院 通信工程系无线教研室,西安 710086

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 501-503

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）