同质非有意掺杂4H-SiC外延研究

摘要：

　　采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法，在偏向<1120>晶向8°N型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。SEM扫描发现晶片并没有很明显的表面缺陷，C-V法测试出来的结果发现其无意掺杂的外延层为N型，其浓度为1.2×1015cm-3。对其无意掺杂的晶片进行初步分析，其厚度的均匀度都≤2％。

关键词： 碳化硅半导体 掺杂技术 同质外延 表面分析

作者: 韩征 张玉明 张义门 王悦湖 贾仁需

作者单位: 西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 504-506

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）