VDMOS管用硅外延片的工艺研究

摘要：

　　本文主要介绍功率MOSFET管用N型硅外延材料的生产工艺，通过对HCl气腐、衬底片的加工、外延生长工艺过程等一系列问题进行优化，使外延层杂质分布有了显著改善。

关键词： VDMOS管 硅外延片 生产工艺 参数优化

作者: 马林宝 高涛 谭卫东 金龙 马翔

作者单位: 南京国盛电子有限公司,南京 210038

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 512-515

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）