HCl气腐在硅外延工艺中的应用研究

摘要：

　　介绍了一种高阻厚层硅外延工艺。通过控制电阻率小于0.02Ωcm的重掺P型衬底的自掺杂，得到了P型高阻厚外延层，外延层的电阻率大于60Ωcm，厚度大于60μm。该工艺技术已经应用到硅外延片生产中，结果表明：外延片能够满足先进器件制作的需要。

关键词： 硅材料 制造工艺 汽相外延 腐蚀机理

作者: 高涛 谭卫东 马利行

作者单位: 南京国盛电子有限公司,南京 210038

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 518-520

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）