4H-SiC同质外延薄膜中表面研究

摘要：

　　采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在偏向<1120>晶向8°n型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。利用原子力显微镜(AFM)，观察外延晶片表面的中心、边缘以及边缘附近三处位置的表面形态。观察结果显示，中心处表面比边缘平滑，中心处的rms为0.269nm，边缘处的rms为0.708nm，边缘附近处出现大量的缺陷群。通过分析得出，这些表面形态与衬底表面的缺陷以及H2的刻蚀有关。

关键词： 碳化硅材料 同质外延 表面分析 低压化学气相淀积法

作者: 刘杰 张玉明 张义门 王悦湖 贾仁需 郭辉 韩征 曹卿

作者单位: 西安电子科技大学 微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 538-540

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）