SiC肖特基辐射探测器γ射线探测模拟研究

摘要：

　　通过模拟仿真软件对基于4H-SiC的肖特基辐射探测器做了模拟研究和分析。在使用ISE软件模拟4H-SiC肖特基探测器在不同偏压和不同的γ射线的剂量率下器件的响应，模拟中得到了在10-3rad/s到300rad/s时，器件都有非常好的线性响应，而且4H-SiC辐射探测器在高温环境下也表现出非常优异的探测性能，即使在500K的高温条件下器件仍然能很好地工作。

关键词： 碳化硅材料 辐射探测器 γ射线 模拟仿真

作者: 张蓬 张义门 张玉明 汤小燕 张林

作者单位: 西安电子科技大学 微电子研究所,西安 710071 宽禁代半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 541-544

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）