用于微流体的硅基SiC微通道及其制备工艺

摘要：

　　提出了一种用于MEMS的硅基碳化硅微通道(阵列)及其制备方法，它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相沉积方法制备碳化硅。首先在硅衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构，凹槽之间留出台面，凹槽和台面的几何尺寸(深度、宽度、长度)以及它们的分布方式根据需要而定。此凹槽微结构用作制备碳化硅微通道的模版，然后用化学气相沉积方法在模版上制备一厚层碳化硅材料，此层碳化硅不仅完全覆盖衬底表面的微结构包括凹槽和台面，它还在凹槽项部形成封闭结构，这样就在衬底上形成了以凹槽为模版的碳化硅微通道(阵列)。

关键词： 碳化硅材料 微流体装置 制造工艺 化学气相沉积法

作者: 刘兴昉 李晋闽 孙国胜 赵永梅 宁瑾 蔡淑娴 王亮 王雷 赵万顺 曾一平

作者单位: 中国科学院 半导体研究所 材料中心,北京 100083 中国科学院 传感技术国家重点实验室,北京 100083 中国科学院 半导体研究所 材料中心,北京 100083 中国科学院 传感技术国家重点实验室,北京 100083 湖南农业大学 茶学教育部重点实验室,长沙 410128

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 553-556

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）