多晶3C-SiC谐振器的制作和测试分析

摘要：

　　提出了一种采用表面微加工技术制作叉指状多晶3C-SiC横向谐振器的制作方案。利用氧化硅材料作为器件结构的隔离层和牺牲层，并在氧化硅上异质沉积生长2微米厚的多晶SiC材料，在大气环境下，采用光学MEMS动态分析设备，成功测量了不同尺寸谐振器的工作情况，器件的谐振频率最高达到了255.5kHz，器件的品质因子(Q值)为464。

关键词： 横向微机械谐振器 制造工艺 性能测试 碳化硅材料

作者: 王亮 赵万顺 宁瑾 孙国胜 刘兴昉 王雷 赵永梅

作者单位: 中国科学院 半导体研究所 新材料中心,北京 100083 中国科学院 传感技术国家重点实验室,北京 100083 中国科学院 半导体研究所 新材料中心,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 560-563

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）