埋氧层厚度对SOI片形变影响的研究

摘要：

　　探讨了埋氧层厚度对SOI片的形变影响。随着埋氧层厚度值的增大，其形变也相应变大，经过抛光工序后缓解了SOI片残余应力，减小了SOI片的形变，埋氧层厚度偏厚的SOI片，其warp值仍然偏大，顶层硅均匀性更差。为控制SOI片形变和均匀性，保障硅膜的挖槽及光刻对位等后工序提供了坚实基础。

关键词： 绝缘体硅晶片 性能测试 结构力学 厚度控制

作者: 陈俊 冯建 吴建 王大平

作者单位: 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 564-567

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）