金属铪掺杂对硅化镍薄膜热稳定性的提高
研究了金属Hf对NiSi薄膜热稳定性的影响。XRD图谱表明，在650-800℃范围二次退火仅存在NiSi相而无NiSi2相，说明Hf掺杂可以提高NiSi的结晶度，延缓NiSi2相的出现。AES表明，热退火后Hf原子层从薄膜中间位置转移到了薄膜上层，证明Hf原子层在反应过程中起到了阻挡层的作用。通过原子力显微镜观察750℃二次热退火后的NiSi薄膜和Ni(Hf)Si薄膜表面，发现掺Hf后的Ni(Hf)Si薄膜比未掺Hf的NiSi薄膜表面平整得多，表明掺铪能显著抑制NiSi薄膜的结团。Ni(Hf)Si/Si肖特基二极管经650-800℃快速热退火后仍然具有良好的电学特性，进一步证明金属Hf能改善NiSi薄膜的热稳定性。
硅化镍薄膜 掺杂技术 热稳定性 能谱分析
岳雄伟 张利春 高玉芝 金海岩 张广勤 随小平
北京大学 微电子研究学院,北京,100871
国内会议
重庆
中文
568-571
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）