高阻多晶硅电阻的研究与实现

摘要：

　　对使用磷离子注入方式的轻掺杂多晶硅进行试验，研究了注入剂量、退火温度、退火时间、后续热处理过程于高阻多晶硅电学特性的关系。采取一定的工艺手段来控制后续热处理工艺对高阻多晶硅电阻的影响。

关键词： 高阻多晶硅 电学性能 掺杂工艺 热处理技术

作者: 肖方兴 吴正立 付玉霞

作者单位: 清华大学 微电子所,北京 100084 中电华清微电子中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 572-575

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）