硅片类型和晶向对抛光去除速率的影响研究

摘要：

　　通过对不同晶向、不同型号、不同电阻率的硅抛光片的去除速率做实验，发现去除速率随着晶向、型号、电阻率的不同而存在较大差异，在其它条件相同的情况下，<100>晶向的硅片抛光速度大于<111>硅片的抛光速率，而p型硅片的抛光速率小于n型硅片的抛光速率，电阻率低的抛光速率小于电阻率高的抛光速率，特别是p型重掺片抛光速率明显低于n型硅片。

关键词： 硅材料 物理结构 抛光技术 性能测试

作者: 王继 万关良 李耀东 李俊峰

作者单位: 有研半导体材料股份有限公司,北京 100088

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 576-578

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）