掺氮浓度对300mm直拉单晶硅中氧化诱生层错的影响

摘要：

　　采用直拉法生长普通和掺氦硅单晶，研究两种晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从两种晶体相同位置取样，并对晶体进行1100℃湿氧氧化实验。实验结果表明，随着掺氮浓度的增加晶体中氧化诱生县错环(OSF-ring)向样片中心处移动，同时宽度变大。这说明，氮的掺入促进了满足OSF形核要求的原生氧沉淀的形成，使OSF形核区变大。

关键词： 单晶硅半导体 掺杂技术 氮元素 浓度分布

作者: 韩海建 肖清华 周旗钢 戴小林

作者单位: 北京有色金属研究总院 有研半导体材料股份有限公司,北京 100088

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 579-582

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）