碳含量对直拉单晶硅片空位型缺陷的影响

摘要：

　　本文研究了具有不同碳浓度的直拉硅片的空位型缺陷及其高温退火行为。研究发现，随着直拉单晶硅体内碳浓度的提高，硅片原生空位型缺陷密度降低，而且其高温热稳定性变差，碳的引入有利于抑制直拉单晶硅体内空位型缺陷的形成。

关键词： 单晶硅半导体 掺杂改性 碳含量 缺陷分析

作者: 陈加和 杨德仁 马向阳 阙端麟

作者单位: 浙江大学 硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 601-604

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）