大面积硅基LaB6薄膜场发射阵列制备

摘要：

　　介绍了真空微电子器件场发射阴极硅阵列的制备。采用半导体集成电路工艺，对硅片进行加工，成功地制备出大面积的场发射阵列；通过对阵列尖端沉积六硼化镧薄膜，改善场发射二极管的发射性能。对薄膜的沉积工艺和性能进行了详细的分析；同时，详细分析了影响薄膜发射的原因。测试结果表明，沉积六硼化镧薄膜后的二极管发射性能具有很强的发射能力。

关键词： 真空微电子器件 发射结构 制造工艺 产品性能

作者: 汪志刚 林祖伦 王丽 徐枫

作者单位: 电子科技大学光电信息学院,成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 612-615

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）