氮离子注入单晶硅快速热处理的研究
硅单晶中氮杂质对材料的性质有重要的影响。氮在硅中的性质、存在形态以及相关缺陷的作用机理一直为人们所研究。本文利用离子注入机以200kev的能量向直拉单晶硅片(CZ-Si)中注入不同剂量的氮离子，然后进行不同温度、不同气氛以及不同时长的快速热处理(RTP)。研究了样品中氧沉淀和电阻率随RTP的变化规律。研究表明，氮通过形成N-O复合体作为异质成核中心来促进氧沉淀，且这种复合体具有一定的稳定性；并随着RTP温度的升高，样品电阻率不断减小；随着注入剂量的增大，电阻率逐渐降变低。
单晶硅半导体 离子注入技术 材料性能 数值分析
赵二敏 陈贵锋 崔会英 李养贤
河北工业大学 信息功能材料研究所,天津 300130 浙江大学 硅材料国家重点实验室,杭州 310027
国内会议
重庆
中文
627-629
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）