4H-SiC日盲紫外探测器的模拟与分析

摘要：

　　利用ISE软件模拟了4H-SiC pin光电二极管日盲紫外光探测器电学特性，得出光电流密度在10-7A/μm2与实验结果吻合较好，验证了模型的正确性。另外，模拟了器件尺寸对电流电压曲线的影响，得出在探测器不需使用较大受光面积器件的结论。

关键词： 紫外探测器 电学性能 模拟分析 功能结构

作者: 叶丽辉 张玉明 张义门 吕红亮 孙明

作者单位: 西安电子科技大学 微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 644-646

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）