SOI横向NPN管耐压结构研究

摘要：

　　针对RESURF原理在横向NPN管中的应用，介绍了目前国内外流行的三种横向NPN管结构，并从其耐压特性、各自的优缺点和工艺实现等方面，进行了详细的分析对比，为以后的应用打下基础。

关键词： 绝缘体硅晶片 耐压结构 材料性能 数值分析

作者: 朱坤峰 徐世六 张正元

作者单位: 重庆大学 光电工程学院,重庆 400044 模拟集成电路国家级重点实验室 模拟集成电路国家级重点实验室 中国电子科技集团 第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 650-652

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）