铬硅薄膜电阻跟踪特性研究

摘要：

　　通过对铬硅薄膜电阻变化机理的研究，分析了可能影响薄膜电阻跟踪特性的几个因素：光刻方式、退火处理温度和时间以及激光修调等，最终研制出跟踪特性良好的铬硅薄膜电阻。

关键词： 铬硅薄膜 电学性能 跟踪控制 制造工艺

作者: 崔伟 李杰 任芳 张扬波 张正元 何开全 刘玉奎 杨邦朝

作者单位: 中国电子科技集团公司 第二十四研究所 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060 中国电子科技集团公司 第二十四研究所 电子科技大学 微电子与固体电子学院,成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 664-667

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）