TF SOI nLIGBT漂移区表面堆积状态小注入间接复合寿命模型及模拟

摘要：

　　为探讨表面复合对TF SOI nLIGBT开关特性的影响，在Si-SiO2界面态连续分布多项式插值近似的平带条件下，TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型及模拟研究的基础上，考虑表面堆积状态下能带向下弯曲对界面态分布的影响，建立了堆积状态下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型，然后采用基于Matlab平台的循环嵌套矩阵算法进行模拟。

关键词： TF SOI nLIGBT器件 电子传递 数值模拟 循环嵌套矩阵算法

作者: 张海鹏 张鸣飞 程筱军

作者单位: 杭州电子科技大学 电子信息学院,杭州 310018

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 682-685

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）