一种BiCMOS工艺器件耐压特性的优化研究

摘要：

　　介绍了在一种互补双极CMOS兼容工艺中通过减压/低温外延增加有效外延层厚度，及采用LDD结构，分别提高BJT和MOSFET耐压特性的工艺与器件优化方案和结果。利用Silvaco TCAD工具，对工艺及器件进行了模拟仿真，并制作出BVDSS=18V～20V的MOS管和BVCEO>12V，fT>4.2GHz的NPN管，有效提高了器件的耐压特性，扩展了该工艺的应用范围。

关键词： BiCMOS器件 材料力学 结构参数 工艺优化

作者: 王志宽 钟怡 李荣强 何开全 廖露 粱涛

作者单位: 中国电子科技集团公司 第二十四研究所 中国电子科技集团公司 第二十四研究所 模拟集成电路国家级重点实验室 重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 689-692

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）