截止频率为22GHz的梳状结构SiGe HBT研究

摘要：

　　介绍了双胞10叉指集电极上引出结构的SiGe HBT，其BVCBO和BVCEO分别为11V和6V，Early电压为37v。在Ic=40mA，Vce=4V的条件下，测得其截止频率fT可达22GHz，最高振荡频率可达12.8GHz(未作去嵌入)。

关键词： 锗硅异质结双极晶体管 结构设计 制造工艺 性能测试

作者: 雒睿 张伟 李高庆 周卫 徐阳 蒋志 李希有 付玉霞 钱佩信

作者单位: 清华大学 微电子学研究所,北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 693-695

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）