SiGe HBT基极串联电阻的提取

摘要：

　　根据Y参数分析的特点，通过对共发射极交流小信号等效电路进行合理的简化，同时考虑到发射极串联电阻的影响，提出了一种新的SiGe HBT基极串联电阻的提取方法。采用这种方法，利用SiGe HBT交流小信号参数的器件模拟结果和实测数据，提取了包括基极串联电阻在内的小信号等效电路模型参数，并据比研究了连接基区横向宽度对基极串联电阻的影响，该方法的有效性也从中得到了验证。

关键词： 锗硅异质结双极晶体管 参数提取 电学性能 数值分析

作者: 付军 李高庆

作者单位: 清华大学 微电子学研究所,北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 696-700

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）