4H-SiC MESFET自热效应新模型

摘要：

　　结合漏电流的解析模型和适用CAD工具准解析模型，提出了一种新型4H-SiCMESFET自热效应物理模型。模型包括4H-SiC低场电子迁移率和杂质不完全离化随温度的变化的一种CAD建模方式，适用于4H-SiC MESFET电路设计时评估器件的自热效应。提出的模型与包含自热效应的器件测试值进行比较，模拟结果和测试结果符合良好，模型的有效性得到了验证。

关键词： 金属-半导体场效应晶体管 自热效应 数值模拟 性能测试

作者: 曾全君 张义门 张玉明 郭辉

作者单位: 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学 微电子研究所,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 701-705

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）