3.6mm SiC MESFET器件的射频功率特性

摘要：

　　介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，未作内匹配，单管器件在S波段2 GHz频率连续波下，输出功率为15.1W，小信号增益大于10dB，功率附加效率(PAE)为39％；在2GHz频率脉冲测试条件下，测试功率输出为18.3W，此时增益大于8dB。

关键词： 金属-半导体场效应晶体管 制造工艺 材料性能 优化设计

作者: 陈刚 柏松 张涛 李哲洋 蒋幼泉

作者单位: 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 706-708

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）