应变Si N-MOSFET电流特性研究

摘要：

　　生长在驰豫SiGe层上的Si产生张应变，使载流子的迁移率显著提高，因此应变Si NMOSTET可以得到非常好的性能。本文在讨论分析了应变SiNMOSFET的结构特性和器件物理的基础上，推导泊松方程求出解析的阈值电压模型和迁移率模型，并用Matlab模拟了迁移率和锗组分之间的关系，与参考文献取得了一致的结果。此模型作为对NMOSFET进行模拟是非常有用的工具。

关键词： 金属-氧化物半导体 电子传递 材料性能 数值模拟

作者: 傅强 张鹤鸣 胡辉勇 戴显英 宣荣喜

作者单位: 西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 709-712

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）