会议专题

针对高压器件的SCR静电保护器件

  在静电保护器件中,SCR结构由于其较强的耐压能力和较低的导通电阻被用于有效保护输入输出节点和内部电路。由于SCR的触发是由pn结雪崩击穿引起的,故触发电压可通过调节掺杂区浓度而改变,对于一定工艺流程,—般采用改进结构的方法有效调节触发电压。但SCR的导通后,形成正反馈,其低导通电阻使维持电压较难调节。通过在SCR内部加入特殊MOS结构,改变内部电阻的方式调节维持电压,在使用中无需加入额外的工艺步骤,达到较好的改进效果。

大规模集成电路 SCR结构 静电保护 参数优化

谢姝 郑国祥 龚大卫

复旦大学 材料科学系,上海 200433 上海先进半导体制造有限公司,上海 200233

国内会议

第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

重庆

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713-715

2007-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)