新型复合栅结构SONOS存储器的性能研究
使用新开发SONOS器件模拟器进行SONOS器件的电学特性模拟和评估。模拟器基于基本物理模型，详细考虑了SONOS栅介质层中的载流子隧穿、俘获、复合、发射和载流子堆积过程，并且能够计算拥有复合栅介质的SONOS器件；可以有效地评估及优化SONOS存储器的设计。模拟了采用复合的隧穿介质层和高-k阻挡介质层，来改进SONOS的电学性能。改进的SONOS器件在保持与传统SONOS器件相同保持栉陛的情况下，明显加快了写入和擦除的速度。
SONOS存储器 电学性能 结构参数 数值模拟
宋云成 杜刚 王卓妍 韩汝琦 刘晓彦
北京大学 微电子所,北京 100871
国内会议
重庆
中文
723-726
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）