4H-SiC BJT增益稳定性模拟研究

摘要：

　　基于4H-SiC材料特性，在ISE仿真软件中建立4H-SiC BJT器件模型。该模型包含SiC/SiO2界面态和发射区-基区界面态，较好地反映了实际器件的直流工作特性。利用该模型分析了两种界面态对电流增益稳定性的影响，证明了发射区-基区界面态是限制电流增益的主要原因。模拟了不同发射极宽度情况下器件的直流特性，结果表明：在现有工艺条件下，发射极宽度取10μm时，器件的最高电流增益和增益稳定性要求能达到最佳的折衷。

关键词： 双极性晶体管 稳定性分析 电学性能 数值模拟

作者: 孙明 张玉明 张义门 吕红亮 邵科

作者单位: 西安电子科技大学 微电子所,西安 710071 教育部宽禁带半导体材料重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 727-730

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）