不同负载功率下VDMOS管X射线的辐射效应研究

摘要：

　　利用X射线对在不同负载条件下的VDMOS进行了辐射试验，观察到VDMOS不同的辐射行为，在较大的负载情况下，VDMOS阈值电压漂移发生了“回弹”(rebound)，比无辐射情况下更大，表明VDMOS在大功率负载情况下发生了辐射退火效应，辐射损伤在大功率负载条件下得到了部分修复。及时退火效应导致阈值电压漂移的回弹主要因素，可以认为是VDMOS弱反型界面态电荷的退火引起，等效电荷量为-2.3×1011/cm2。从跨导来看，受到辐射的样品均表观出界面态Qit的增加。

关键词： VDMOS器件 电磁辐射 性能测试 数值分析

作者: 何开全 谭开洲 杨永晖 李泽宏 刘勇

作者单位: 中国电子科技集团公司 第二十四研究所 中国电子科技集团公司 第二十四研究所 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060 电子科技大学 微电子与固体电子学院,成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 731-735

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）