功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究

摘要：

　　对两种不同结构的功率VDMOS晶体管进行了总剂量辐照的试验研究，条形栅结构比元胞型结构具有抗总剂量辐照的结构优势，中国科学院微电子研究所利用条形栅结构制作出高抗总剂量辐照能力的功率VDMOS晶体管，抗总剂量能力可达1400krad(Si)以上。

关键词： 双扩散场效应晶体管 抗总剂量 辐照性能 结构设计

作者: 王立新 陆江 蔡小五 刘刚 韩郑生 夏洋

作者单位: 中国科学院 微电子研究所,北京 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 777-779

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）