一种具有两次“Snapback”的新结构LSCR

摘要：

　　提出了一种具有两次“Snapback”特性的新结构LSCR器件。该器件正反向情况下都为LSCR结构，其两次“Snapback”特性，可以极大地抑制正常工作状态下由于意外触发而导致LSCR“Latch-Up”。分析结果表明，该器件可很好实现双向的ESD保护，在宽度为1000μm情况下，抗ESD能力达14000V。设计完成的新结构LSCR可很好地应用于功率器件和功率集成电路中。

关键词： CMOS集成电路 保护元件 结构特征 仿真分析

作者: 钱梦亮 李泽宏 胡永贵 刘勇 周春华 杨舰

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 模拟集成电路国家级重点实验室 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060 模拟集成电路国家级重点实验室 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 789-794

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）