低压VDMOS沟道电阻的三维模型

摘要：

　　基于低压VDMOS理论，结合器件三维结构，分析低压VDMOS的导通电阻三维效应，提出一种VDMOS沟道电阻的三维模型。ISE三维数值仿真和解析计算表明：与常规模型相比，本文模型解析解与三维数值解吻合较好。

关键词： 功率VDMOS器件 导通电阻 三维数值模拟 仿真分析

作者: 王怀锋 李泽宏 周春华

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 795-798

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）