局域寿命控制FS结构IGBT

摘要：

　　提出了一种具有局域寿命控制的FS结构IGBT，建立了局部寿命控制区引入后的电流下降过程的瞬态模型，数值分析结果表明：FS-IGBT的基区中引入一局部寿命控制层，关断时间比常规FS-IBGT器件减少了24.2％，正向饱和压降只增加了10.9％，局域寿命控制区域的厚度变化对关断时间影响比少子寿命变化的影响大得多。

关键词： 绝缘栅双极型晶体管 局域寿命控制 结构参数 数值分析

作者: 谢刚 李泽宏 王宇 廖仲平 吕沛 任良彦

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 799-802

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）