非均匀沟道MNOS总剂量辐射效应

摘要：

　　分析了非均匀沟道MNOS结构器件总剂量辐射效应，建立了MNOS的总剂量辐射阈值电压变化公式。辐射情况下，分析不同的二氧化硅厚度对非均匀沟道MNOS结构阈值电压的影响。结果表明，非均匀沟道MNOS的二氧化硅厚度为12nm时，总剂量辐射导致的阈值电压漂移量接近于0。

关键词： 金属氮化物氧化物半导体 总剂量辐射效应 结构参数 仿真分析

作者: 连延杰 李泽宏 谭开洲 刘勇

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 815-819

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）