新型三维横向功率器件SLOP-LDMOS的设计

摘要：

　　对所提出的新型三维横向功率器件SLOP-LDMOS的工作原理进行分析，借助仿真器设计该器件的结构参数。该器件在N区的注入剂量为4×1012cm-2,P区注入剂量为4.85×1012cm-2时，SLOP-LDMOS的击穿电压为288V，比导通电阻为30.78mΩ·cm2；相对于LDMOS的51.04mΩ·cm2(340V)降低了39.69％，较好改善了击穿电压与比导通电阻的矛盾。

关键词： 肖特基场效应器件 优化设计 结构参数 仿真分析

作者: 路烜 陈万军 李泽宏 张波 王丈廉

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 模拟集成电路国家级重点实验室 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 820-823

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）