70V BCD(VDMOS)器件及工艺设计

摘要：

　　设计了—套比较成熟的高功率BCD器件及工艺，它集成了70V高压VDMOS、Bipolar、CMOS以及各种二极管、电阻、电容等器件，与以往的BCD工艺相比较具有高功率，集成器件多，器件性能更加稳定，兼容性更好的特点，适合于高压大电流电路应用。

关键词： 声效应功率晶体管 制造工艺 优化设计 结构参数

作者: 毛焜 方健 周贤达 刘伦友 张弦 刘哲 张正元 冯志诚 张波

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 824-827

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）