基于导纳谱法的硅化钨肖特基二极管势垒提取

摘要：

　　采用传统I-V拟舍的方法和基于导纳谱的肖特基势垒高度提取方法，对n型及p型衬底上的W/Si以及WSi2/Si二极管分别测量肖特基势垒高度。结果表明，对于较高势垒样品，I-V拟合方法和导纳谱法均可有效提取势垒高度，对于肖特基势垒高度小于0.5eV样品，I-V拟合方法失效，导纳谱法却仍有较好的稳定性，分析了导纳谱法测试精度与频率和交流偏压的关系。

关键词： 肖特基二极管 电学性能 导纳谱法 数值分析

作者: 罗佳 王保民 黄巍 蒋玉龙 茹国平 屈新萍 李炳宗

作者单位: 复旦大学 微电子研究院,上海 200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 831-834

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）