功率VDMOS器件ESD保护结构瞬态模型研究

摘要：

　　基于对功率VDMOS器件ESD保护电路及其初始条件的深入分析，并结合栅介质击穿条件，提出其瞬态响应模型。该模型通过对保护结构进行电路等效，得到各保护器件参数与功率器件抗ESD能力的解析关系，且模型结果与数值仿真结果吻合良好。通过对模型进行解析运算，得到栅极输入串联电阻、保护二极管等效寄生电阻与击穿电压、功率VDMOS的栅源电容与栅氧厚度与器件抗ESD能力的关系，为功率VDMOS的ESD保护提供重要指导。

关键词： 双扩散场效应晶体管 功能结构 静电保护 性能测试

作者: 周春华 李泽宏 胡永贵 刘勇 易黎 钱梦亮

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 模拟集成电路国家级重点实验室 模拟集成电路国家级重点实验室 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 835-839

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）